新聞說:近來記憶體產業可說是消息連環爆，一邊是先進製程與高頻寬記憶體（HBM）持續加速擴產，另一邊則是價格飆升，迫使下游品牌廠開始動念「另闢蹊徑」，全球記憶體供應鏈正悄悄出現變化的前兆。先看供給端。根據韓媒《hankyung》報導，三星電子正計畫在平澤 P4 晶圓廠綜合體，新建一條用於生產 HBM4 所需 1c nm DRAM Die 的大型產線，目標在明年第一季投產，月產能上看 10～12 萬片晶圓。以三星預估 2026 年平均每月 DRAM 產能約 66 萬片來看，這條新產線一旦到位，將一口氣貢獻接近 五分之一的產能；再加上目前既有約 6.5 萬片 1c nm 月產能，屆時 HBM4 相關產能將占三星整體 DRAM 的四分之一左右。不只如此，三星也同步補齊後段製程。位於平澤 S5 的 4 奈米產線，已全面投入 HBM4 所需的 Base Die 生產；而華城 Fab 17 的既有 DRAM 產線，也規劃升級至 1c nm，以因應手機與家電等終端市場需求。整體來看，三星顯然已為下一波 AI 與高效能運算需求，提前鋪好產能版圖。然而，產能還沒完全到位，價格卻先「跑在前面」。路透社引述日媒報導指出，記憶體價格快速上漲，已嚴重墊高科技產品製造成本，甚至影響新品發布時程。在這樣的壓力下，惠普（HP）、戴爾（Dell）、宏碁與華碩等四大 PC 品牌，首度開始認真評估採購中國製記憶體晶片，最快下半年就可能出現實際動作。其中，惠普動作最為明確，先前已啟動對長鑫存儲（CXMT）產品的認證程序，作為擴充記憶體供應來源的一環。知情人士透露，惠普將觀察記憶體報價至 2026 年中，若供應依舊吃緊、價格續漲，不排除首次向長鑫採購 DRAM，並主要供應非美國市場。戴爾同樣因擔心成本失控，已著手進行長鑫產品認證；宏碁則對此持開放態度；華碩也已要求中國合作夥伴，協助採購部分筆電專案所需的記憶體晶片。雖然「認證」不等於「一定採用」，但產業人士直言，當一線品牌開始建立供應替代方案，並重新思考長期採購策略，全球科技供應鏈的結構，勢必會出現微妙但深遠的變化。對此，惠普、戴爾與華碩皆選擇不予評論，宏碁則僅回應：「將動態調整營運，以應對零組件價格變化。」不過，並非所有人都對陸系產能寄予厚望。業界指出，新供應商從認證到實際量產供貨，通常需要約兩季時間，短期內難以立即舒緩供應緊張；再加上中國廠商往往優先供應華為、聯想等本土大客戶，能分配給海外品牌的產能其實有限。群聯電子執行長潘健成也持相對保守看法。他分析，即便中國記憶體廠產能提前釋放，撇開初期良率仍偏低的現實，光是填補中國龐大的內需缺口就已捉襟見肘，更遑論對全球市場產生決定性影響。
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