中國DRAM產能將暴增！記憶體超級周期恐只剩2至3年，馬斯克提前敲響警鐘，全球記憶體市場正迎來一場關鍵轉折。過去一年，人工智慧（AI）浪潮席捲全球，AI伺服器對記憶體的需求急速攀升，加上三星、SK海力士與美光等大廠將更多產能轉向高頻寬記憶體（HBM）及伺服器用DRAM，讓一般消費級記憶體供應吃緊，價格也跟著水漲船高。然而，這場讓記憶體廠賺得盆滿缽滿的超級周期，未必能持續太久。特斯拉執行長馬斯克近日接連針對記憶體供應問題發表看法，直言RAM短缺已成為AI產業發展的瓶頸。他更預言，中國一旦掌握相關技術並大規模擴產，到2028年就可能生產海量記憶體晶片。這番言論立即引發市場關注，因為中國記憶體產能若在未來兩年快速攀升，恰好碰上全球AI資本支出增速放緩，供需局勢可能迅速翻轉。馬斯克此前也點名記憶體價格問題，認為美光的價格還算合理，三星與SK海力士的報價卻高得離譜。表面上看，這是大型科技企業對供應商價格的抱怨；但從產業角度來看，更深層的訊息是，當記憶體價格高到一定程度，客戶就會積極尋找替代供應商，而中國廠商的崛起，可能正好提供新的選擇。中國DRAM產業的關鍵角色之一，就是長鑫存儲。目前長鑫的DRAM月產能約為20萬至25萬片，預計年底突破30萬片。隨著上海臨港新廠規劃推進，加上合肥、北京等地的新產線陸續擴充，市場預估，長鑫到2028年月產能有機會提升至50萬片，遠期目標甚至上看60萬片，全球市占率也有機會朝17%邁進。若這些擴產計畫順利實現，長鑫將有機會躋身全球第三大DRAM供應商，逐漸改變目前由韓國與美國大廠主導的市場格局。作為比較，三星與SK海力士的月產能規模分別約為70萬片及60萬片。中國廠商雖然目前仍有技術差距，但如果持續擴大產能、改善良率並提升產品性能，對既有供應商的競爭壓力勢必增加。更值得注意的是，長鑫的發展不再只停留在一般消費級記憶體。市場消息指出，長鑫正朝伺服器級DDR5及HBM3E產品推進，部分高階產品已進入小批量階段。這代表中國記憶體產業正試圖從價格競爭，逐步跨入附加價值更高的伺服器與AI供應鏈。不過，高階產品能否持續提升良率、穩定大量出貨，以及通過大型客戶驗證，仍是後續發展的重要考驗。除了DRAM，中國在NAND Flash領域也持續追趕。長江存儲的NAND位元出貨市占率據稱已達14%，排名全球第三。整體而言，中國記憶體產業正透過擴產、技術研發及產品升級，逐步提高在全球市場的影響力。不過，真正決定這波記憶體超級周期能走多遠的，並不只是中國能增加多少產能，還要看全球AI需求能否持續高速成長。本輪記憶體漲價的核心原因，是AI伺服器大量消耗DRAM，而三星、SK海力士與美光又將部分資源轉向HBM及高階伺服器記憶體，導致一般DRAM供應受到排擠。瑞銀預估，DRAM供應緊俏的情況可能延續至2028年上半年，意味著短期內記憶體廠仍有機會享受供需失衡帶來的高價與高獲利。然而，需求端可能出現變化。市場預估，主要美國雲端業者的AI資本支出增速，可能從2026年的約100%，大幅降至2028年的7%。這裡必須注意，資本支出增速下降，不代表AI投資總額一定減少，但如果新增投資的速度明顯放慢，記憶體需求就未必能繼續以目前的速度擴張。一旦AI伺服器需求成長放緩，而中國新增產能又在同一時間大量開出，市場就可能從「供不應求」逐漸轉向「供需平衡」，甚至出現部分產品供過於求的局面。屆時，最先感受到壓力的，可能是技術門檻相對較低、競爭者較多的中低階DRAM，價格與利潤率都有可能受到擠壓。至於HBM等高階產品，由於涉及先進製程、堆疊技術、封裝能力、良率及客戶認證，並非單純增加產能就能立即追上。因此，即使中國記憶體廠商快速擴產，三星、SK海力士與美光在高階產品領域，短期內仍可能保有技術及客戶優勢。對韓國記憶體大廠而言，未來兩年可能是享受高獲利的重要窗口，但2028年恐怕將成為檢驗競爭力的關鍵分水嶺。南韓學界也提醒，韓廠的營收前景，最終仍取決於雲端巨頭能否持續投入AI建設，而不是只看記憶體價格目前漲得多高。總結來說，馬斯克的發言不只是對記憶體價格表達不滿，也點出了整個產業正在面對的結構性變化：當供應商不再只有少數幾家，原本由供給短缺支撐的高價與超額利潤，就可能逐漸受到挑戰。2026年至2027年，AI需求仍可能吸收新增產能，記憶體市場短期內未必立即反轉；但到了2028年，中國產能擴張、AI投資增速放緩，以及各大廠產品組合的變化，可能同時影響市場供需。因此，記憶體超級周期未必會突然結束，卻可能從全面缺貨、普遍漲價的行情，轉變為不同產品各自表現的分化市場。未來真正值得觀察的，不只是記憶體價格還能漲多久，更是當供給逐漸增加時，哪些廠商仍然擁有技術優勢、議價能力與持續獲利的本事。
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