德國股神科斯托蘭尼說過，在市場中，漲跌是一體的，如果分辨不出下跌的終點，就看不出上漲的起點。很多散戶每天都是憑感覺或憑直覺的殺進殺出，不然就是看國際股市，新聞，媒體，低級投機客的言論在那買來賣去，其實外資群有自己一套的短線操作理論，大家看去年11月及12月，外資群分別買進了2400億及1801億，合計買超4201億，接著在今年1月賣超16億，2月買超1162億，3月買超227億，累計五個月買超了5574億，4月賣超了1495億，5月買超818億，6月買超35億，到了6月時，外資群累計買超了4932億，大家就該知道外資群了不起再買個一千億，如果要賣的話，是可以賣5千到7千億，明明外資群才買超4932億，為什麼可以賣到5千到7千億呢？道理也是很好懂，因為外資群在去年11及12月合計買超4201億，成本大概在17300點，當上漲到兩萬三千點時，外資群是賺了不少未實現獲利，如果這時全賣，能賣到六千到七千億的效果，接著外資群在7月就大賣了3503億，8月再賣763億，合計兩個月賣超了4267億，有一些散戶會選擇在這裡很悲觀，我也是不懂有什麼好悲觀的，外資群買了股票後會拉抬，賣了股票會壓制及摜殺，所以最近兩個月在外資群強力的賣超下，自然會讓股市呈現很弱勢，這也是外資群想要散戶看壞股市，因為散戶只要看壞，那外資群才有機會再去佈局下一個波段的短線部位，我一直和大家說，現在的台股不會是什麼瘋狂價，畢竟外資群都已經賣出了4267億，以絕對的數字來看，從去年11月開始，外資群僅買超665億，要是把外資群賺的算進去，了不起就僅能再賣個兩千億，外資群都賣超手上買的三分之二了，自然股市就不會是什麼最高點或瘋狂價，除了外資群進出外，很多人會說投信一直大買，自營商一直大賣，是不是自營商和台股有仇，其實細心一點的人就會知道，從去年11月到今天，投信合計買超了6335億，自營商賣超6377億，自營商的賣超機乎和投信買超差不多，所以明顯就是自營商把ETF賣給散戶，然後把錢給投信去買台股，才會出現這樣的情況。
我們來看一下近三十個交易日自營商進出，很明顯自營商都是賣超ETF，例如賣超第一名的是復華台灣科技優息，合計賣出182萬張，賣出第二名的是國泰永續高股息，合計賣超104萬張，賣第三名的是群益台灣精選高息，合計賣出97萬張，賣第四名的是元大美債正二，賣出65.7萬張，賣第五名的是元大高股息，合計賣出65萬張，接下來的二十名大家就自己看，清一色都是ETF，這些ETF大部份都是以台灣個股為標的，所以自營商把ETF賣給散戶後，會把錢給投信去買台股，之前我一直說自營商賣超是因為賣了ETF及高股息ETF給散戶，今天我把自營商近三十個交易日買賣超列出來，這樣大家就能看比較清楚，至於自營商買的部位，有部份是散戶賣出的ETF，例如元大S＆P原油反1，元大台灣50反一等，這時會有人說，ETF明明就分初級市場及次級市場，一般股市中買賣的，不都是次級市場嗎？所謂的初級市場是指，自營商發行100萬張的元大一定發高股息ETF，散戶認購了這100萬張，接著大部份的人在裡面買來賣去這一百萬張，一開始自營商發行100萬張，這就叫初級市場，接著散戶拿著這100萬張在裡面買來賣去的行為，這就叫次級市場，一般來說，次級市場的買賣是不會影響股票總數的增加或減少的，我們拿鴻海舉例，外資群買了50萬張，然後再賣50萬張，這不會影響鴻海股本1386億及發行1386萬張股票這個事實，但ETF就不一樣了，有時候很多散戶想要買，那自營商就能多發行一些ETF到市場賣，愈多散戶要買，自營商發行愈多，自然自營商就會呈現大幅度的賣超。
我們來看一下00929的持股明細，聯華電子佔8.12%，聯詠科技佔6.95%，台灣大哥佔6.28%，遠傳電信佔5.83%，聯發科技佔5.82%，光寶科技佔5.74%，和碩聯合佔4.79%，世界先進佔4.46%，日月光投佔4.32%，可成科技佔3.57%，京元電子佔3.35%，大聯大控佔3.01%，宏碁股份佔2.93%，群光電子佔2.68%，中美矽晶佔2.60%，聯強國際佔2.59%，健鼎科技佔2.41%，力成科技佔2.40%，其中電信股的台灣大及遠傳就佔12%了，這兩檔股利率最多就是4%，這還不包括要給ETF券商的管理費及大量的換股手續費1%，股利率4%扣掉給ETF發行商的後，就剩3%，我是不懂哪來可以發出8到10%，就拿股利率最好的聯電來說，股利率就是5.7%左右，扣掉給ETF發行商費用後，有個4.7%就偷笑了，光寶科股利率4.2%，宏碁股利率3.42%，和碩股利率4%，如果散戶會仔細去看00929持股明細的話，就不會天真的覺得這檔ETF能持續且穩定的給你8到10%股利率，00929投資的股票就沒有8到10%，是要去哪生8到10%的股息每年配給投資者。
新聞說:鴻海研究院半導體所，攜手陽明交大電子所，雙方研究團隊在第四代化合物半導體的關鍵技術上取得重大突破，提高了第四代半導體氧化鎵在高壓、高溫應用領域的高壓耐受性能，為未來高功率電子元件開闢了新的可能性。第四代半導體氧化鎵因其優異的性能，被視為下一代半導體材料的代表。它擁有超寬能隙、超高臨界擊穿場強等特性，較現有的矽、碳化矽和氮化鎵等材料具有顯著優勢，這些特性使得氧化鎵特別適用於電動車、電網系統、航空航太等高功率應用場景。鴻海認為，氧化鎵元件將有望成為具有競爭力的電力電子元件，能直接與碳化矽元件競爭。目前中國、日本和美國在氧化鎵研究領域處於領先地位。其中，日本已實現 4 英寸和 6 英寸氧化鎵晶圓的產業化，而中國多家科研機構和企業也在積極推進相關研究與產品開發。本次研究 Heteroepitaxially Grown Homojunction Gallium Oxide PN Diodes Using Ion Implantation Technologies，利用磷離子佈植和快速熱退火技術實現了第四代半導體 P 型 Ga2O3 的製造，並在其上重新生長 N 型和 N+ 型 Ga2O3，形成了 PN Ga2O3 二極體，結果展示出優異的電性表現，這一突破性技術除了能大幅提升元件的穩定性和可靠性，並顯著降低電阻。此次鴻海研究院與陽明交大電子所通力合作研究成果已發表於高影響力指數的國際頂級材料科學期刊「Materials Today Advances」。Materials Today Advances 在 2023 年的影響力指數達到 10.25，並在材料科學領域的 SJR中排名前 25%。論文詳細闡述了這種新型 Ga2O3 PN 二極體的製作過程和性能特徵。實驗結果顯示，該元件具有4.2V的開啟電壓和900V的擊穿電壓，展現出元件優異的高壓耐受性能。此次的技術突破，將為台灣在全球化合物半導體產業中的領先地位增添優勢，也為未來的高壓半導體應用開創新的可能，也再次證明了鴻海在技術創新和產業發展上的卓越能力。展望未來，鴻海研究院表示，隨著氧化鎵技術的進一步發展，可以期待其在更多高壓、高溫和高頻領域中有更廣泛應用，將繼續致力於此領域的研究，為全球技術創新和產業進步做出更大的貢獻。
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